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商務(wù)部公告關(guān)于對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的反補(bǔ)貼初裁公告

  • 2013年09月17日 10:28
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  • 關(guān)鍵字:多晶硅 美國(guó)進(jìn)口 商務(wù)部 反補(bǔ)貼
[導(dǎo)讀]
根據(jù)《中華人民共和國(guó)反補(bǔ)貼條例》(以下簡(jiǎn)稱《反補(bǔ)貼條例》)的規(guī)定,2012年7月20日,商務(wù)部發(fā)布年度第41號(hào)公告,決定對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅反補(bǔ)貼立案調(diào)查。該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國(guó)進(jìn)出口稅則》:28046190。該稅則號(hào)項(xiàng)下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級(jí)多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。
 
商務(wù)部(以下稱調(diào)查機(jī)關(guān))對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅(以下稱被調(diào)查產(chǎn)品)是否存在補(bǔ)貼及補(bǔ)貼金額、被調(diào)查產(chǎn)品是否對(duì)國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)造成損害和損害程度以及補(bǔ)貼與損害之間的因果關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查。根據(jù)調(diào)查結(jié)果和《反補(bǔ)貼條例》第二十五條的規(guī)定,調(diào)查機(jī)關(guān)作出初步裁定(見(jiàn)附件),并就有關(guān)事項(xiàng)公告如下:
 
 一、初步裁定
調(diào)查機(jī)關(guān)初步裁定,在本案調(diào)查期內(nèi),被調(diào)查產(chǎn)品存在補(bǔ)貼,中國(guó)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)受到實(shí)質(zhì)損害,而且補(bǔ)貼與損害之間存在因果關(guān)系。
二、被調(diào)查產(chǎn)品范圍及措施范圍
 
本案被調(diào)查產(chǎn)品及實(shí)施措施產(chǎn)品的具體描述如下:
 
調(diào)查和措施范圍:原產(chǎn)于美國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。
 
被調(diào)查產(chǎn)品名稱:太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。英文名稱:Solar-Grade Polysilicon。
 
被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述:以氯硅烷為原料采用(改良)西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的,用于生產(chǎn)晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產(chǎn)品。
 
被調(diào)查產(chǎn)品電學(xué)參數(shù)為:
基磷電阻率<300歐姆?厘米(Ω ?cm);
 基硼電阻率<2600歐姆?厘米(Ω ?cm);
 碳濃度>
    ;
    n型少數(shù)載流子壽命<500μs;
    施主雜質(zhì)濃度>
    ;
    受主雜質(zhì)濃度>
   
 
主要用途:主要用于太陽(yáng)能級(jí)單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn),是生產(chǎn)晶體硅光伏電池的主要原料。
 
該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國(guó)進(jìn)出口稅則》:28046190。該稅則號(hào)項(xiàng)下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級(jí)多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。
 
三、臨時(shí)反補(bǔ)貼措施
 
根據(jù)《反補(bǔ)貼條例》第二十九條和三十條的規(guī)定,調(diào)查機(jī)關(guān)向國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)提出對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)的被調(diào)查產(chǎn)品采取臨時(shí)反補(bǔ)貼措施的建議。國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)根據(jù)調(diào)查機(jī)關(guān)的建議作出決定,自2013年9月20日起,采用臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金的形式對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)的進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品實(shí)施臨時(shí)反補(bǔ)貼措施。進(jìn)口經(jīng)營(yíng)者在進(jìn)口原產(chǎn)于美國(guó)的被調(diào)查產(chǎn)品時(shí),應(yīng)依據(jù)本初裁確定的各公司的從價(jià)補(bǔ)貼率向中華人民共和國(guó)海關(guān)提供相應(yīng)的臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金。
 
對(duì)各公司征收的臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金比率如下:
1.赫姆洛克半導(dǎo)體公司                       6.5%
(Hemlock Semiconductor Corporation)
 
2.REC太陽(yáng)能級(jí)硅有限責(zé)任公司                 0%
 。≧EC Solar Grade Silicon LLC)
 
3.REC先進(jìn)硅材料有限責(zé)任公司                 0%
 。≧EC Advanced Silicon Materials LLC)
 
4.MEMC帕薩迪納有限公司                      0%
 。∕EMC Pasadena,Inc.)
5.AE Polysilicon Corporation                6.5%
 
6.其他美國(guó)公司(All Others)                6.5%
 
在補(bǔ)貼調(diào)查期內(nèi),原產(chǎn)于REC太陽(yáng)能級(jí)硅有限責(zé)任公司的進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品從價(jià)補(bǔ)貼率為0.2%,屬于微量補(bǔ)貼;原產(chǎn)于REC先進(jìn)硅材料有限責(zé)任公司和MEMC帕薩迪納有限公司的進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品均未獲得補(bǔ)貼。對(duì)原產(chǎn)于此三家公司的進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品不征收臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金。
 
四、采取臨時(shí)反補(bǔ)貼措施的方法
 
自2013年9月20日起,進(jìn)口經(jīng)營(yíng)者在進(jìn)口原產(chǎn)于美國(guó)的被調(diào)查產(chǎn)品時(shí),應(yīng)依據(jù)本初裁確定的各公司的從價(jià)補(bǔ)貼率向中華人民共和國(guó)海關(guān)提供相應(yīng)的臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金。臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金以海關(guān)審定的完稅價(jià)格從價(jià)計(jì)征,計(jì)算公式為:臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金金額=(海關(guān)審定的完稅價(jià)格×臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金征收比率)×(1+進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅稅率)。
 
五、評(píng)論
 
各利害關(guān)系方在本公告發(fā)布之日起10天內(nèi),可向調(diào)查機(jī)關(guān)提出書面評(píng)論并附相關(guān)證據(jù),調(diào)查機(jī)關(guān)將依法予以考慮。
 
 
中華人民共和國(guó)商務(wù)部
2013年9月16日
  • [責(zé)任編輯:editor]

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