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聯(lián)合建廠一波三折
為了突破困局，振興日本半導(dǎo)體業(yè)，2005年開始，在日本政府產(chǎn)
經(jīng)省的主導(dǎo)下，日立、東芝、瑞薩、NEC電子和松下電器等五家公司，
準(zhǔn)備聯(lián)合建立合作性質(zhì)的委托生產(chǎn)廠。
近年來日本半導(dǎo)體業(yè)一蹶不振，其在世界半導(dǎo)體市場的份額一直
在20%上下徘徊，并且由于大部分半導(dǎo)體廠商虧損，對于需數(shù)十億美
元投資的采用先進(jìn)工藝的300mm硅圓片廠，各廠商已無力獨(dú)立興建。
為增強(qiáng)競爭能力和分散投資負(fù)擔(dān)，日本半導(dǎo)體廠商只能走合作建設(shè)新
型半導(dǎo)體廠的道路。
2005年這一方案提出不久，準(zhǔn)備合作的上述五家公司就在投資額
負(fù)擔(dān)問題上出現(xiàn)了裂痕。先是NEC電子和東芝在2005年11月宣布，他
們兩家公司將共同開發(fā)45納米的半導(dǎo)體工藝，并進(jìn)一步考慮新工藝的
聯(lián)合生產(chǎn)。在宣布這一消息的同時，NEC電子總裁中易俊雄稱，將與
一直在聯(lián)合開發(fā)45納米工藝的瑞薩公司和松下公司繼續(xù)保持合作關(guān)系。
另據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報道，2006年1月日本日立、東芝和瑞薩
科技公司將聯(lián)合成立一家合作生產(chǎn)最先進(jìn)的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)廠。該
廠將投入1000億日元的資金。他們計劃從2007年開始生產(chǎn)數(shù)字家電的
核心元件———新一代的單芯片集成系統(tǒng)器件(SoC)，工藝水平
達(dá)到45納米節(jié)點的要求。新工廠將建在東芝公司位于日本西南部大分
縣的廠區(qū)，或瑞薩科技公司位于東京北部茨城縣的廠區(qū)。
面對美國Intel公司2005年11月起已在亞利桑那州開始興建45
納米工藝生產(chǎn)廠，并且至2008年將在設(shè)備上投資約70億美元的強(qiáng)勢競
爭，日本半導(dǎo)體廠商毫無還手之力。日本整個半導(dǎo)體業(yè)在設(shè)備上的投
資也趕不上美國Intel一家公司的投資，更何況韓國三星電子公司
近年也宣布了超過50億美元的半導(dǎo)體投資。在這兩大強(qiáng)敵咄咄逼人的
競爭態(tài)勢下，日本半導(dǎo)體業(yè)與世界先進(jìn)水平的差距只會越來越大，而
不會逐漸縮小。
編輯點評
日本半導(dǎo)體業(yè)興衰的啟示
日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的興衰為我國半導(dǎo)體業(yè)帶來兩點重要啟示，一
是產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要發(fā)揮本國的優(yōu)勢，二是產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需要政府的大力支
持。
現(xiàn)在已經(jīng)很少有人知道，十幾年前日本NEC公司曾坐過全球半導(dǎo)
體市場的頭把交椅，而當(dāng)年美國Intel公司在半導(dǎo)體市場上只不過
是世界老七。
NEC電子公司是NEC總公司于2002年在其半導(dǎo)體部門基礎(chǔ)上成立的。
其2005年的銷售額為57.1億美元，與2004年相比，降低了12.2%，世
界排名也降為第10名。這只是日本半導(dǎo)體業(yè)的一個縮影。有數(shù)字表明，
2005年全球半導(dǎo)體業(yè)的市場份額中，日本廠商合計僅占20%左右，對
比上世紀(jì)80年代日本半導(dǎo)體業(yè)占有世界市場50%以上份額的盛況，已
不可同日而語。
從經(jīng)營策略上而言，日本東芝、NEC等日本半導(dǎo)體廠商近年來將
半導(dǎo)體業(yè)的投資重點放在了液晶顯示器和內(nèi)存芯片上。由于沒能發(fā)揮
日本半導(dǎo)體業(yè)將技術(shù)轉(zhuǎn)化為高附加值產(chǎn)品的優(yōu)勢而造成連年大幅度虧
損。有關(guān)專家指出，日本半導(dǎo)體廠商在生產(chǎn)線上的流片周期相對較長，
人工成本高于世界平均水平，他們只適于生產(chǎn)高附加值的器件，因而
近年來在通用大批量器件，例如存儲器的生產(chǎn)上屢戰(zhàn)屢敗。日本半導(dǎo)
體業(yè)要想減少虧損，必須退出這些贏利不高而風(fēng)險又較大的市場，專
注于他們所擅長的消費(fèi)電子類器件和集成系統(tǒng)芯片市場。
但是，為什么日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會一蹶不振呢？隨著半導(dǎo)體工藝技
術(shù)的快速演進(jìn)，設(shè)備和研發(fā)經(jīng)費(fèi)的投入需求越來越大，因此半導(dǎo)體業(yè)
的競爭就是國力的競爭。美國政府視其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為事關(guān)國家經(jīng)濟(jì)命
脈和國防安全的最重要的產(chǎn)業(yè)之一，堅持每年將半導(dǎo)體業(yè)銷售額的2.5%
用于技術(shù)研發(fā)和設(shè)備投資，從而保持了其在世界亞微米和深亞微米
半導(dǎo)體工藝上的領(lǐng)先地位。
而迫于市場的壓力和連年赤字，大部分日本廠商無力投資興建采
用先進(jìn)工藝的新廠，只好眼睜睜地看著歐美和韓國的廠商占領(lǐng)市場。
盡管擁有先進(jìn)技術(shù)，然而只能陷入心有余而力不足的境地。
有專家指出，半導(dǎo)體器件的集成度越高，研究的風(fēng)險也越大，同
時在基礎(chǔ)研究上的投資也隨之增大。對于曾有巨額虧損的日本半導(dǎo)體
廠商而言，只有依賴日本政府的國家基礎(chǔ)研究經(jīng)費(fèi)，方能進(jìn)行最尖端
的半導(dǎo)體工藝和設(shè)備的研究和開發(fā)。
相關(guān)鏈接
日本和美國的較量
從1976年起，由日本通產(chǎn)省主導(dǎo)，日本NEC、東芝、富士通、日
立和三菱電機(jī)等五家公司，攜手日本工業(yè)技術(shù)研究院電子綜合研究所
和計算機(jī)綜合研究所，投資720億日元，通過企業(yè)與科研機(jī)構(gòu)的聯(lián)合，
實施了大規(guī)模集成電路的研發(fā)計劃。經(jīng)數(shù)年努力，在微米級半導(dǎo)體工
藝上一舉超過美國，從而奠定了上個世紀(jì)80年代下半期日本半導(dǎo)體產(chǎn)
業(yè)稱霸全球半導(dǎo)體市場的基礎(chǔ)，占據(jù)了世界半導(dǎo)體市場50%的份額。其
中從上世紀(jì)80年代中期起，日本在世界DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)市
場中長期占有90%左右的份額。當(dāng)時日本被稱為“半導(dǎo)體王國”。
然而好景不長，不甘落于人后的美國半導(dǎo)體業(yè)成立了SEMATECH
(半導(dǎo)體制造技術(shù)R&D聯(lián)合體)，動員了全美700名科技精英，耗時10
年，每年投入2億美元(其中一半由美國國防部高級研究計劃局提供，
另一半由美國13家半導(dǎo)體公司按年銷售額的1%集資)，全力研究和開
發(fā)深亞微米級的半導(dǎo)體工藝及其相應(yīng)的先進(jìn)制造設(shè)備。還有，美國軍
方投資10億美元，開發(fā)軍用通信和信號處理所需的半導(dǎo)體器件和技術(shù)。
此外，美國祭出了關(guān)稅與貿(mào)易總協(xié)定GATT的超級301條款，迫使
日本締結(jié)了“美日半導(dǎo)體協(xié)定”，規(guī)定“外國半導(dǎo)體廠商必需占有日
本國內(nèi)20%市場”，強(qiáng)制日本產(chǎn)業(yè)界屈服美國的政治壓力。1993年，
美國終于從日本手中重新奪回全球半導(dǎo)體業(yè)龍頭老大的地位。更有甚
者，美國Intel公司和微軟公司，利用個人電腦滲入社會方方面面
的有利時機(jī)，成功地采用壟斷策略，鞏固了其在半導(dǎo)體市場和軟件市
場上的長期的支配性地位，迫使日本在世界半導(dǎo)體市場上節(jié)節(jié)敗退。
自此，美國政府視其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為事關(guān)國家經(jīng)濟(jì)命脈和國防安全的最
重要的產(chǎn)業(yè)之一，堅持每年將半導(dǎo)體業(yè)銷售額的2.5%用于技術(shù)研發(fā)和
設(shè)備投資，從而保持了其在世界上亞微米和深亞微米半導(dǎo)體工藝上的
領(lǐng)先地位。
另外值得一提的是，從上世紀(jì)90年代起，韓國、我國的臺灣省和
祖國大陸等亞洲地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)的興起，以低成本的競爭優(yōu)勢，也重創(chuàng)
了日本半導(dǎo)體業(yè)。
日本半導(dǎo)體業(yè)近年總結(jié)自己的教訓(xùn)時已認(rèn)識到，1986年至1991年
日本超出半導(dǎo)體發(fā)明國———美國而稱雄世界半導(dǎo)體市場時，只不過
是在生產(chǎn)技術(shù)上超過了美國。當(dāng)時繁榮的假象，使日本人產(chǎn)生了全面
超過美國的錯覺。
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